Camada de valência

Camada de valência é a última camada a receber elétron no átomo ou o nível de maior número quântico principal e secundário na distribuição eletrônica. Normalmente os elétrons pertencentes à camada de valência são os que participam de alguma ligação química, pois são os mais externos. A contagem e distribuição dos elétrons é feita sempre de dentro (perto do núcleo) para fora.^[1][2]

Por Exemplo : ${\displaystyle 1s^{2}~2s^{2}~2p^{6}}$ - têm 8 elétrons na camada de valência (${\displaystyle 2s^{2},~2p^{6}}$). A camada de valência é a última camada de distribuição eletrônica, contendo o subnível mais energético. O Diagrama de Pauling estabelece que os átomos podem possuir sete camadas de distribuição atômica. Estas camadas são denominadas ${\displaystyle K,~L,~M,~N,~O,~P~e~Q}$.

Cada uma destas camadas possuem um número máximo de elétrons. Assim, as camadas acima possuem, respectivamente ${\displaystyle 2,~8,~18,~32,~32,~18~e~8}$ elétrons. A camada de valência necessita, na maior parte dos átomos, de ${\displaystyle 8}$ elétrons para que seja estável. Essa é a teoria do octeto.

Quando não há estabilidade, os átomos tendem a fazer ligações químicas com elementos que possam proporcionar os elétrons faltantes.

Os gases nobres possuem ${\displaystyle 8}$ elétrons em sua camada de valência, a única exceção é Hélio, que possui ${\displaystyle 2}$ elétrons. Todos são estáveis, não necessitando realizar ligações químicas para adquirir estabilidade.

Como exemplo das ligações ocorridas em razão dos elétrons presentes na camada de valência, estão o Oxigênio, que possui ${\displaystyle 6}$ elétrons na última camada e o Hidrogênio, que possui ${\displaystyle 1}$ elétron na ultima camada. O Oxigênio necessita de dois elétrons para ficar estável e o Hidrogênio, de um elétron. Desta forma, ocorre uma ligação em que dois átomos de Hidrogênio compartilham cada um, 1 elétron com o Oxigênio. Assim, o Oxigênio adquire a estabilidade através dos dois elétrons compartilhados, assim como o Hidrogênio, que adquire mais um elétrons na camada de valência. Essa é a ligação que ocorre formando moléculas de água.^[3]

Outro exemplo conhecido é o cloreto de sódio ou sal de cozinha. O Cloro possui ${\displaystyle 7}$ elétrons na camada de valência. O Sódio, por sua vez, possui um elétron na camada de valência. Assim, o Sódio se torna um cátion, pois perde um elétron, e o Cloro se torna um ânion, pois ganha um elétron.

A representação da tabela periódica permite que, através de uma breve análise, se conclua a respeito da quantidade de elétrons da última camada. Assim, os grupos ${\displaystyle 1,~2,~13,~14,~15,~16~e~17}$ possuem, respectivamente, ${\displaystyle 1,~2,~3,~4,~5,~6~e~7}$ elétrons na última camada. Além disso, para o restante dos elementos presentes na tabela periódica, é possível identificar o número de elétrons da camada de valência através da representação da distribuição eletrônica. Assim, tem-se a respeito do elemento Ferro:

Exemplos

Ferro ${\displaystyle (Fe)}$ tem número atômico igual a ${\displaystyle 26}$^[1]

Distribuição eletrônica: ${\displaystyle 1s^{2}~2s^{2}~2p^{6}~3s^{2}~3p^{6}~4s^{2}~3d^{6}}$

Camada de valência: no último nível que é ${\displaystyle 4~ou~N}$ com ${\displaystyle 2}$ elétrons

Assim, o elemento Ferro ${\displaystyle (4s^{2})}$ possui ${\displaystyle 2}$ elétrons em sua camada de valência.

Assim como o elemento:

Prata ${\displaystyle (Ag)}$: número atômico igual a ${\displaystyle 47}$

Distribuição eletrônica: ${\displaystyle 1s^{2}~2s^{2}~2p^{6}~3s^{2}~3p^{6}~4s^{2}~3d^{10}~4p^{6}~5s^{2}~4d^{9}}$

Camada de valência: no último nível que é ${\displaystyle 5~ou~O}$ com ${\displaystyle 2}$ elétrons

Assim, o elemento Prata ${\displaystyle (5s^{2})}$ possui ${\displaystyle 2}$ elétron em sua camada de valência.

Desta forma, é possível ligações iônicas ou covalentes, em diversos elementos e sua provável transformação em cátions e ânions.

Em resumo, a camada de valência sempre será a última camada da distribuição eletrônica.

Ver também

Referências

Bibliografia

• C.G. Van de Walle, Wide-band-gap Semiconductors, Elsevier, 1993 ISBN 0-444-59917-7 (em inglês)
• Hadis Morkoç, Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, GaN-based Optical and Electronic Devices , John Wiley & Sons, 2009 ISBN 3-527-62845-2 (em inglês)
• E. Kasper, D.J. Paul, Silicon Quantum Integrated Circuits: Silicon-Germanium Heterostructure Devices: Basics and Realisations , Springer Science & Business Media, 2006 ISBN 3-540-26382-9 (em inglês)
• S. Kar, Electrochemical Society. Electronics Division , Physics and Technology of High-k Gate Dielectrics II: Proceedings of the Second International Symposium on High Dielectric Constant Materials: Materials Science, Processing, Reliability, and Manufacturing Issues : Held in Orlando, Florida, October 12-16, 2003, Volume 2003, The Electrochemical Society, 2004 ISBN 1-566-77405-5 (em inglês)
• Klaus Ellmer, Andreas Klein, Bernd Rech, Transparent Conductive Zinc Oxide: Basics and Applications in Thin Film Solar Cells , Springer Science & Business Media, 2007 ISBN 3-540-73612-3 (em inglês)
• Joshi, Engineering Physics , Tata McGraw-Hill Education, 2010 ISBN 0-070-70477-5 (em inglês)
• Larry Brown, Tom Holme, Chemistry for Engineering Students , Cengage Learning, 2014 ISBN 1-285-96557-4 (em inglês)
• H.H. Kung, Transition Metal Oxides: Surface Chemistry and Catalysis , Elsevier, 1989 ISBN 0-080-88742-2 (em inglês)
• Peter W. Milonni, Joseph H. Eberly, Laser Physics , John Wiley & Sons, 2010 ISBN 0-470-40970-3 (em inglês)
• Jerrold T. Bushberg, John M. Boone, The Essential Physics of Medical Imaging , Lippincott Williams & Wilkins, 2011 ISBN 0-781-78057-8 (em inglês)

Ligações externas

• «Ligações químicas pelo modelo do octeto» 

• Portal da física
• Portal da química